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1. 材料检测分析技术
（1）服务领域：
金属材料、有机材料、无机材料、半导体材料及制品集成电路、微机械、半导体照明、激光、显示、传感、电子电路元件与系统、纳米材料与结构、能源环保、阻燃、建筑建材等细分领域 （2）检测分类：
■ 组织结构： 形貌、结构、成分、金相实验、物相分析、晶体结构、晶粒取向、织构、相鉴定、残余应力、腐蚀等。
■ 化学分析： 金属、合金、矿石、有机物成分分析、金属镀层分析、RoHS、水及环境样品分析、药物、食品、建材等有害元素分析、未知配方分析。
■ 物理性能： 电阻率、密度、表面粗糙度、热膨胀系数、熔点、相变、比热。
■ 力学性能： 高低温压缩、拉伸、弯曲、冲击、硬度、弹性模量、疲劳性能、断裂韧性、低周及高周疲劳、高温持久/蠕变性能、韧脆性转变温度、无塑性转变温度、动态撕裂、落锤撕裂、金属薄板塑性应变（r值）、热模拟试验。
■ 热学性能： 比热容、熔点、熔融热焓、结晶温度、结晶热焓、玻璃化转变温度、热失重温度、热膨胀系数、热裂解温度、储能模量、损耗模量、粘弹性、蠕变与应力松弛、杨氏模量、剪切模量、塞贝克系数等。
■ 磁学性能： 磁化率、磁导率、磁致伸缩、磁致损耗、剩磁、矫顽力、磁化强度，磁化率，磁畴、磁滞回线、磁能积、表面磁通。
■ 电学性能： 介电常数、电导率或电阻率、方块电阻、击穿电压、绝缘性能
■ 光学性能： 反射、折射、透射、吸收、光致发光、电致发光、荧光、拉曼
特色电镜技术服务
1. 服务能力介绍：
（1）扫描电镜 SEM
■ 二次电子像(SE) : 形貌分析、平整度分析 ■ 背散射电子像(BSE): 形貌分析、定性成分分析
■ 阴极发光(CL)： 样品缺陷、痕量元素（过渡金属元素）分布图像
■ 原位测量(In situ): 高温拉伸、高温压缩等等
■ 背散射电子衍射分析(EBSD)： 晶体取向分析、极图分析
■ 环境样品分析： 低气压、生物、含水样品、及其他不导电样品分析
（2）透射电镜 TEM
■ 形貌分析： 明场、暗场像、高分辨像、STEM、高角环形暗场像 HADDF
■ 能谱分析(EDS)： 线扫描、面扫描（mapping）
■ 电子能量损失谱(ELLS)： Z>1元素的成分、化学键、带结构、极化、价带与导带电子密度
■ 电子衍射： 晶体结构分析
■ 原位分析(In situ)： 高温拉伸、压缩、扭转等
（3）制样服务 Sample Preparation
■ 扫描电镜样品： 喷碳、喷金、镶嵌、切割、截面解理等
■ 透射电镜样品： FIB切样、离子减薄、样品磨抛、电解双喷、碳复型
■ EBSD样品制备： 离子减薄、离子磨抛、FIB抛光、喷碳
2. 薄膜生长与沉积技术
（1）薄膜种类：
金属膜：各种高熔点金属和非金属薄膜的蒸镀 介质膜：氧化硅、氮化硅、非晶硅薄膜及氮氧化硅薄膜低温、低应力制备 光学膜：各种多层膜，包括光学膜、介质膜和电极膜的蒸镀 外延膜：Si、SiGe、InP、GaAs、GaN、SiC、AlN基的半导体芯片外延膜 （2）服务项目：
■ 等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) 单晶硅Si、多晶硅Poly-Si、SiO2、SiNx、Al2O3、ZnO等薄膜材料；在低温下(300℃)即可淀积高质量的薄膜，淀积速率高，应用范围广泛。
■ 电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(ICP-PECVD) Si、SiO2、Poly-Si、SiNx；生长温度低、等离子体密度高，可制备低应力、超厚介质膜，最大厚度30 um的SiO2。
■ 低压化学气相沉积(LPCVD) 多晶硅、SiNX，同时可以进行B、P的掺杂；获得低应力、高质量的介质膜；
■ 原子层沉积系统(ALD) TiN、TaN、Al2O3、Ta2O5、La2O3、TiO2、HfO2、AlN及其多层组合或混合物生长；生长厚度100nm以下，可以对样品进行O2、N2、He、NH3及其混合气体的离子处理。
■ 离子束溅射系统(IBS) 二氧化硅、五氧化二钽、硅、三氧化二铝、ITO等各种靶材，可用于制备各类型半导体光电器件反射及增透膜、光学反射镜片、光学边带滤波片及带通滤波片等等。其与电子束蒸发工艺相比，膜层均匀性好、附着力强、生长速率快。
■ 磁控溅射系统(MSS) Ti 、Al、Co、Ni、Fe、Cu、W、TiN、Ta、Cr、Wti及SiO2、SiN等介质薄膜的溅射沉积；可以在自动模式下进行多层薄膜的沉积，样品加热功能最高到700摄氏度。
■ 金属有机气相沉积(MOCVD)与分子束外延(MBE) InP基、GaAs基、 GaSb基、GaN基、Sapphire、Si、ZnO衬底上生长Si/SiGe、Si、Ge、InP； GaAs、AlGaAs、InGaAs、AlInAs、InAs、InGaAsP、GaSb；GaN、InGaN、AlGaN、InN、AlN、SiC、 ZnO；晶片尺寸2到8英寸，用于制备高性能QW-LD、QCL、ICL、SLD、PD、APD、LED、MESFET、HEMT、PHEMT、MHEMT、NIP等外延片；
（3）设备能力： 等离子体增强气相沉积 PECVD、原子层沉积 ALD、磁控溅射、离子束溅射、电感耦合-等离子体增强气相沉积 ICP-PECVD、低压化学气相沉积 LPCVD、金属有机气相化学沉积 MOCVD、分子束外延系统 MBE、化学气相沉积 CVD。
3. 微纳器件加工技术
（1）加工范围： 光电子材料和器件：
发光二极管 LED、半导体激光器 LD、光纤 Fiber、波导器 、调制器、探测器、太阳能电池、APD、硅基光电器件。
微电子机械系统(MEMS)： 速度、加速度、压力、温度、湿度、气体、磁、光、声、生物、化学等类型芯片，成熟的有加速度计、陀螺仪、微流控、麦克风、生物检测类产品。
红外激光与探测(IR-LD&PD)： 量子阱激光器、InGaAs探测器、MCT、InSb探测器、量子级联激光器QCL、QCD、ICL、二类超晶格激光与探测、超辐射SLD。
照明与显示器件： 蓝、绿、红、紫外LED、液晶显示屏DSTN-LCD、TFT-LCD、IPS、OLED、量子点显示。
电力电子器件： 晶闸管、绝缘栅双极晶体管IGBT、功率 MOSFET、电力二极管、 Si基及SiC基器件。 （2）服务项目：
■ 外延生长： MBE、MOCVD、MOVPE、PECVD、CVD、LPCVD、磁控溅射等。
■ 光刻工艺： 电子束曝光、全息曝光、激光直写系统、纳米压印、紫外光刻、FIB等。
■ 介质膜沉积： PECVD、ICP-PECVD、CVD、离子束溅射、ALD、LPCVD等
■ 金属膜沉积： 电子束蒸发、磁控溅射、热蒸发。
■ 刻蚀工艺： 氧化硅ICP刻蚀、深硅刻蚀工艺、金属ICP刻蚀机、III-V ICP刻蚀、反应离子RIE刻蚀、SiC、GaN等ICP刻蚀、离子束刻蚀等。
■ 器件封装： 倒装焊、金丝球焊、砂轮划片、激光划片、晶片键合、平行封焊、抛光。
■ 器件测试： 椭偏仪、棱镜耦合仪（膜厚）、台阶仪、3D显微镜、扫描电镜、四探针、原子力测试、半导体参数测试、分光光度计、探针台、功率器件测试等。
■ 离子注入： 高能离子注入机、离子注入机。
■ 热处理： 高温退火、快速退火、合金退火炉、高温扩散炉、退化炉、真空合金炉。
（3）设备能力：
双面对准紫外曝光系统、电子束曝光分辨率优于8 nm、激光直写、激光干涉曝光机、全息曝光、飞秒激光三维加工、纳米压印系统、ICP刻蚀、RIE刻蚀、离子束刻蚀系统、磁控溅射、PECVD、ICP-PECVD、LPCVD、热氧化炉、CVD、ALD、电子束蒸发、FIB、扫描电镜、台阶仪、3D显微镜、原子力显微镜、轮廓仪、椭偏仪、棱镜耦合仪、XPS、拉曼光谱、半导体参数测试仪、近场光学、远场、功率、砂轮划片、激光划片、倒装焊、平行封焊、光纤耦合系统、金丝球焊、探针台等。 4. 可靠性测试服务
（1）服务范围：
器件方面： 电子元器件、集成电路、功率器件、混合电路、微电路模块\u000b分立器件、特种元件、机电组件、光电器件、微波器件等
智能硬件： 智能家居、可穿戴设备、车联网、智能电视、传感器等 （2）服务项目：
■ 环境试验 温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、低气压、盐雾/盐气、交变/稳态湿热、高温贮存、低温贮存、强加速稳态湿热(高压蒸汽)、浸渍及热真空释气试验等；
■ 物理试验 内部气体成份分析、粒子碰撞噪声检测、密封(粗细检漏)、键合强度、芯片粘附强度、内、外部目检、制样镜检；
■ 机械检验 随机振动、扫频振动、振动疲劳、振动噪声、冲击、恒定加速度等；
■ 电学测试 混合集成电路、微电路模块、单片集成电路、二/三极管、介质耐电压、绝缘电阻、接触电阻、直流电阻、电容量；
■ 特色项目 塑封产品的DPA及可靠性试验：X射线检查、超声检测、染色渗透试验、强加速稳态湿热(高压蒸汽)、化学开封等；
■ 其他试验 X射线检查、超声检测、静电放电敏感度分类(ESD)、染色渗透试验、高温/常温稳态寿命、化学开封、热像分析等。
（1）服务范围： 5. 聚焦离子束&二次离子质谱分析
集成电路：芯片的线路修改 透射样制备：金属、合金、半导体材料、陶瓷、纤维、纳米材料、EBSD样制备 微纳结构加工：截面解剖及成像、纳米加工(沉积及刻蚀) 精密成分分析：LED、Solar Cell、LD、PD、MEMS等微电子、光电子、材料等。 （2）服务项目： ■ 精密切割沉积：线路修改、TEM样制备、EBSD样制备。 ■ 精密成分分析：分析元素、有机、无机、金属等，包括Fe、Al、Ga、Na、Mg、K、Ga、B、C、N、P、S、As、O、V等。
二次离子质谱(SIMS)： 一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、分子或原子团的二次发射，即离子溅射，利用质量分析器接收分析二次离子就得到二次离子质谱。
（3）设备能力： FEI 聚焦离子束FIB Helios 600 i、聚焦离子束 Helios NanoLab 460 HP、二次离子质谱仪SIMS IMS 1280(法国)、飞行时间二次离子质谱 TOF.SIMS 5。
米格实验室具体科研服务能力 | 
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